特許
J-GLOBAL ID：200903016113083947
シリコン結晶の評価方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-110764
公開番号（公開出願番号）：特開平9-297101
出願日： 1996年05月01日
公開日（公表日）： 1997年11月18日
要約：
【要約】【課題】 Si結晶中の格子間酸素原子の局所構造、及び存在状態を評価することが困難であった。【解決手段】 Si-Si軸長さの変化に対するポテンシャルの変化を計算により求め、このポテンシャルの変化に対する遠赤外吸収スペクトルのピークシフト率を求めておき、Si結晶に遠赤外光を透過させて得られる遠赤外吸収スペクトルのピークシフト率からSi結晶中の格子間酸素原子の局所構造、存在状態を評価する。
請求項（抜粋）：
Si-Si軸長さの変化に対するポテンシャルの変化を計算により求め、このポテンシャルの変化に対する遠赤外吸収スペクトルのピークシフト率を求めておき、シリコン結晶(Si結晶)に遠赤外光を透過させて得られる遠赤外吸収スペクトルのピークシフト率から、Si結晶中の格子間酸素原子の局所構造、存在状態を評価することを特徴とするSi結晶の評価方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01N 21/35 Z
, H01L 21/66 N
