特許
J-GLOBAL ID：200903016113609027
半導体基板及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-024385
公開番号（公開出願番号）：特開平6-310517
出願日： 1994年02月22日
公開日（公表日）： 1994年11月04日
要約：
【要約】【目的】 ウェーハ表面付近の欠陥を低減させると同時にゲッタ能力を向上させる。【構成】 ST1で育成、ST2で成形したCZウェーハに対し、ST3において、非酸化雰囲気、1150°C以上、30分以上の熱処理を施す(例:H2ガス中・1200°C・1時間)。これで、ウェーハ表面からの深さが20μm以上の内部では5×107 cm-3以上で、それより浅い層では5×102 〜5×106cm-3のBMD密度プロファイルを持つウェーハが作成される。このプロファイルを見るには、更に、そのウェーハに対して、ST4で酸素雰囲気・780°C・3時間の熱処理を施し、その後、ST5で酸素雰囲気・1000°C・16時間の熱処理を施す。これによりST6でBMDをIRトモグラフ、あるいは選択エッチング法で確認できる。【効果】 デバイス形成面付近の事実上の無欠陥化並びに内部の十分なゲッタ能力を実現できる。よって、製品の歩留り向上に貢献できる。
請求項（抜粋）：
酸素雰囲気中で、780°C、3時間の熱処理を施し、続いて、酸素雰囲気中で、1000°C、16時間の熱処理を施した後にBMD観察を行ったときの基板表面から10μmの深さまでの平均BMD密度が5×102 〜5×166 cm-3であることを特徴とする半導体基板。
引用特許：
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