特許
J-GLOBAL ID：200903016116213108
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
桑井 清一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-359812
公開番号（公開出願番号）：特開平5-182491
出願日： 1991年12月27日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：
【要約】【目的】 本発明の目的はセクタ数が多くなっても不良セルを冗長セルに置換する置換回路の規模を抑制することである。【構成】 不良と判断された記憶素子がセクタ1からセクタ8のいずれかに含まれていると、置換回路は不良記憶素子の接続されているデジット線を冗長セル領域1内の冗長デジット線に置き換え、不良と判断された記憶素子がセクタ9からセクタ16までのいずれ化に含まれていると冗長セル領域2内の冗長デジット線に置き換える。このように、1つの冗長領域が複数のセクタに対して設けられているので、上記置換回路の回路規模が、従来技術に比べ小さくなる。
請求項（抜粋）：
n個のセクタから構成され、各セクタはマトリクス状に配列された不揮発性記憶素子を有し、該不揮発性記憶素子はセクタ毎に書き込み、消去及び読み出すことが可能である主記憶素子領域と;前記不揮発性記憶素子と同一不揮発性記憶素子がマトリクス状に配列された冗長セル領域と;前記セクタ内の不揮発性記憶素子が不良と判断され、該不良と判断された不揮発性記憶素子がアドレスにより選択された場合、不良と判断された不揮発性記憶素子を前記冗長セル領域内の不揮発性記憶素子に置換する置換手段と;を備えた不揮発性半導体記憶装置において、上記置換手段は前記n個のセクタの内の複数個のセクタのいずれかにおいて不良と判断された不揮発性記憶素子を冗長セル領域の不揮発性記憶素子と置換可能なことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2件)：
G11C 29/00 301
, G11C 16/06
