半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-019231
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055528
出願日： 1992年02月04日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：

【要約】【目的】 SRAMのメモリセルの構造を微細化することである。【構成】 SRAMのメモリセルは1対のアクセストランジスタと、1対のドライバトランジスタおよび1対の負荷トランジスタから構成される。6つのトランジスタは薄膜トランジスタで構成される。複数の薄膜トランジスタが層間絶縁層を介在してシリコン基板表面上に複数層積層される。

請求項（抜粋）：

フリップフロップ回路を構成する1対の第1導電型の駆動用トランジスタおよび1対の第2導電型の負荷トランジスタと、1対のアクセストランジスタとを有するメモリセルを備えた半導体記憶装置であって、主表面を有する半導体基板と、前記半導体基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に配列された第1薄膜トランジスタ群と、前記第1薄膜トランジスタ群の表面上を覆う層間絶縁層と、前記層間絶縁層上に配列された第2薄膜トランジスタ群とを備え、前記第1薄膜トランジスタ群は、前記駆動用トランジスタ、前記負荷トランジスタおよび前記アクセストランジスタのうちの少なくとも1つのトランジスタを含み、前記第2薄膜トランジスタ群は、前記駆動用トランジスタ、前記負荷トランジスタおよび前記アクセストランジスタのうち、前記第1薄膜トランジスタ群に含まれるトランジスタを除いて少なくとも1つのトランジスタを含む、半導体記憶装置。

IPC (2件)：

H01L 27/11 , H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 27/10 381 , H01L 29/78 311 C

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平2-187991
特開平3-241773
特開平3-148168

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