特許
J-GLOBAL ID：200903016122695157
ドライエッチング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-256729
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112172
出願日： 1992年09月25日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：
【要約】【目的】 ブランケットCVD法により形成されたタングステン層(Blk-W層)のエッチバックにおいて、エッチング表面を平滑化する。【構成】 Blk-W層5のエッチバック工程の最初または途中において、CSF2 (フッ化チオカルボニル)を含むガスを放電解離させて得られる堆積物層6で該Blk-W層5の表面を平滑化する。この堆積物層6は、S(イオウ)、S原子を含有する炭素系ポリマー等を含み、高い平滑化効果を示す。この後、エッチバックを開始あるいは続行すれば、Blk-W層5の粗い表面モホロジーが下地のTiNバリヤメタル4やSiO2 層間絶縁膜3の表面に転写される虞れがなくなる。エッチング条件の設定によっては、CSF2 による平滑化とエッチングとを同時進行させることもできる。ローディング効果も抑制できる。
請求項（抜粋）：
高融点金属層のエッチバックを行うドライエッチング方法において、前記エッチバックの工程の所定時点にて、分子内にチオカルボニル基を有するチオカルボニル化合物を含むガスを放電解離させて得られる堆積性物質を前記高融点金属層の表面に堆積させることにより、該表面を平滑化することを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (2件)：
前のページに戻る
