特許
J-GLOBAL ID：200903016125511057
プラズマエッチング用単結晶Si電極板
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
富田 和夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-138666
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316216
出願日： 1995年05月12日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：
【要約】【目的】 信頼性のあるプラズマエッチング用単結晶Si電極板を提供する。【構成】 厚さ方向に平行に貫通細穴が設けられているプラズマエッチング用単結晶Si電極板において、貫通細穴は、穴径:0.2〜0.4mm、座標軸のX軸方向およびY軸方向のピッチが1〜3mmとなるように設けられており、貫通細穴端部には面取りが施されていることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
厚さ方向に平行に貫通細穴が設けられているプラズマエッチング用単結晶Si電極板において、上記貫通細穴は、穴径:0.2〜0.4mm、座標軸のX軸方向およびY軸方向のピッチが1〜3mmとなるように設けられていることを特徴とするプラズマエッチング用単結晶Si電極板。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/302 C
, C23F 4/00 Z
