半導体モジュールの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-315796
公開番号（公開出願番号）：特開2003-124412
出願日： 2001年10月12日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
要約：

【要約】【課題】鉛フリー半田を使用しても、リード線とサーモモジュールの接続部が破壊されることなく製造できる。【解決手段】放熱側絶縁基板2と吸熱側絶縁基板3で熱電素子1を挟持し第1半田材料で接合する第1工程と、放熱側絶縁基板3にリード線12を第2半田材料で接続する第2工程と、放熱側絶縁基板3をパッケージ6に第3半田材料で接合する第3工程と、吸熱側基板2に半導体素子10のチップキャリア9を第4半田材料で接合する第4工程と、リード線12をパッケージ6に設けられた端子4に第2半田材料より80°C以上低い融点の第5半田材料で接合する第5工程が設けられ、各半田材料は鉛フリーであり、第5工程を第1〜5工程の最終工程で行うことを特徴とする半導体モジュールの製造方法。

請求項（抜粋）：

放熱側絶縁基板と吸熱側絶縁基板で熱電素子を挟持し鉛フリーの第1半田材料で接合する第1工程と、前記放熱側絶縁基板にリード線を鉛フリーの第2半田材料で接続する第2工程と、前記放熱側絶縁基板をパッケージに鉛フリーの第3半田材料で接合する第3工程と、前記吸熱側基板に半導体素子のチップキャリアを鉛フリーの第4半田材料で接合する第4工程と、前記リード線を前記パッケージに設けられた端子に第2半田材料より80°C以上低い融点の鉛フリーの第5半田材料で接合する第5工程が設けられ、該第5工程を前記第1〜5工程の最終工程で行うことを特徴とする半導体モジュールの製造方法。

IPC (10件)：

H01L 23/38 , B23K 35/26 310 , B23K 35/26 , C22C 12/00 , C22C 13/00 , H01L 35/08 , H01L 35/10 , H01L 35/32 , H01L 35/34 , H01S 5/024

FI (10件)：

H01L 23/38 , B23K 35/26 310 A , B23K 35/26 310 C , C22C 12/00 , C22C 13/00 , H01L 35/08 , H01L 35/10 , H01L 35/32 A , H01L 35/34 , H01S 5/024

Fターム (8件)：

5F036AA01 , 5F036BA33 , 5F036BC31 , 5F073AB27 , 5F073AB28 , 5F073EA28 , 5F073FA06 , 5F073FA25

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