ダイヤモンド状炭素薄膜の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-237870
公開番号（公開出願番号）：特開平5-009736
出願日： 1991年09月18日
公開日（公表日）： 1993年01月19日
要約：

【要約】【目的】基材との密着性に優れたダイヤモンド状炭素薄膜を高速、かつ低温で製造する。【構成】原料ガスとして、炭素含有ガスおよび希ガスからなる混合ガス、あるいは、炭素含有ガス、水素ガスおよび希ガスからなる混合ガスを用い、電子サイクロトロン共鳴法によってダイヤモンド状炭素薄膜を得る。

請求項（抜粋）：

炭素含有ガスおよび希ガスからなる混合ガス、あるいは炭素含有ガス、水素ガスおよび希ガスからなる混合ガスを、電子サイクロトロン共鳴法により励起し、基材に接触させることを特徴とするダイヤモンド状炭素薄膜の製造方法。

IPC (3件)：

C23C 16/26 , C23C 16/50 , C30B 29/04

引用特許：

審査官引用 (4件)

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