特許
J-GLOBAL ID：200903016147542517
露光マスクの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-251712
公開番号（公開出願番号）：特開平5-088353
出願日： 1991年09月30日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：
【要約】【目的】 本発明は写真蝕刻法において転写パターンの高解像度化を目的とする。【構成】 露光マスクにおいて、石英基板の遮光膜周辺に位相シフタを設け転写されるパターンの解像度を向上させるマスクの製造方法において、石英基板上に形成された遮光膜上に選択的にレジスト膜を形成し、遮光膜を形成する膜およびレジスト膜の側壁に炭素膜を残し、レジスト膜および炭素膜をマスクとして石英をRIEでエッチングし、位相シフタを形成することを特徴とした位相シフトマスクの製造方法。また、他の実施例として、石英基板上に形成された遮光膜に選択的に膜が堆積する方法を用いて、それによって形成された膜をマスクとして位相シフタを形成することを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。【効果】 本発明では石英基板上に形成された遮光膜に対して自己整合的に位相シフタを形成でき、その位相シフタの幅が石英基板をエッチングする際のマスクとなる膜の堆積膜厚で制御されるため、その制御性が大幅に向上する。
請求項（抜粋）：
露光マスクにおいて、マスク基板上に露光光に対する遮光膜を有し、前記遮光膜の周囲に第1の透過領域を設け、前記第1の透過領域に隣接して第2の透過領域を設け、前記第1の透過領域を透過した光の位相が前記第2の透過領域を透過した光の位相と180度シフトする位相シフト領域を設け第1、第2の透過領域を透過した光を互いに干渉させ、像のコントラストを向上させる露光マスクにおいて、マスク基板上に遮光膜を形成した後にマスク基板上の遮光膜が形成された側にポジ型レジスト膜を塗布する工程と、マスク基板上の遮光膜が形成されていない側から光を照射し露光する工程とを経た後、現像により前記レジストのうち遮光膜上の領域のみを残す工程を含み、前記遮光膜および前記遮光膜上のレジスト膜の側壁に耐マスク基板エッチング膜を形成する工程と、前記遮光膜上のレジストおよび前記レジスト膜の側壁に形成した耐マスク基板エッチング膜とを耐エッチングマスクとして異方性エッチング法を用いて180度位相を反転する位相シフト領域を形成する工程と、前記レジストおよび前記レジスト側壁に形成した耐マスク基板エッチング膜とを前記マスク基板ならびに前記遮光膜に対して選択的に除去する工程を経て遮光膜に自己整合的に位相シフタを形成することを特徴とする露光マスクの製造方法。
IPC (2件)：
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