特許
J-GLOBAL ID：200903016150174057

半導体装置

発明者：
楢崎 敦司

楢崎 敦司 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (2件)： 山田 卓二 ,  中野 晴夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-333656
公開番号（公開出願番号）：特開2007-142138
出願日： 2005年11月18日
公開日（公表日）： 2007年06月07日
要約：
【課題】 ダイレクトリードボンディング方式の半導体装置において、金属膜を形成する位置がゲート配線側にずれた場合のゲート配線の破損を防止する。【解決手段】 ダイレクトリードボンディング方式の半導体装置が、半導体基板と、半導体基板の表面に設けられた表面電極と、半導体基板の表面に表面電極に沿って設けられたゲート配線と、表面電極の上に設けられた金属膜と、金属膜の上に取り付けられたリード端子とを含む。ゲート配線はポリイミド膜に覆われ、金属膜はポリイミド膜の上まで延在する。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
ダイレクトリードボンディング方式の半導体装置であって、 半導体基板と、 該半導体基板の表面に設けられた表面電極と、 該半導体基板の表面に該表面電極に沿って設けられたゲート配線と、 該表面電極の上に設けられた金属膜と、 該金属膜の上に取り付けられたリード端子とを含み、 該ゲート配線がポリイミド膜に覆われ、該金属膜が該ポリイミド膜の上まで延在したことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 23/52 ,  H01L 21/320 ,  H01L 29/417
FI (2件)：
H01L21/88 T ,  H01L29/50 M
Fターム (37件)：
4M104AA01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104EE05 ,  4M104EE18 ,  4M104FF07 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104GG18 ,  4M104HH20 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH13 ,  5F033HH18 ,  5F033HH20 ,  5F033KK07 ,  5F033KK08 ,  5F033KK13 ,  5F033KK20 ,  5F033MM08 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR22 ,  5F033VV07 ,  5F033XX19
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 特開平4-133474号公報
審査官引用 (10件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-223933   出願人：株式会社デンソー
  • パッケージ型半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-352508   出願人：株式会社デンソー
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-049672   出願人：三洋電機株式会社
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