特許
J-GLOBAL ID：200903016152886534
半導体素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-024578
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244405
出願日： 1993年02月15日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：
【要約】【目的】方形の半導体基板の一面の電極接触領域の面積を大きくして有効電極面積を増す場合、領域角部のRを小さくしても耐圧耐量の低下しない半導体素子を提供する。【構成】方形の電極接触領域を囲む角環状ガードリングの角部の幅を広くして空乏層を伸びやすくすることにより、角部のRを小さくしても辺部と同等に空乏層が伸びるため、耐圧耐量が低下しない。
請求項（抜粋）：
方形の半導体基板全面の第一導電形層の表面層に四辺が基板の四辺に平行で角部が円弧状の輪郭をもつ第二導電形の領域が形成され、この第二導電形領域を囲んで1段あるいは複数段の角環状の第二導電形のガードリングが設けられるものにおいて、ガードリングの幅が角部において辺部より広くされたことを特徴とする半導体素子。
引用特許：
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