特許
J-GLOBAL ID：200903016160141394
光電変換機能素子の製造方法および光電変換機能素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
荒船 博司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-091082
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284646
出願日： 2000年03月29日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：
【要約】【課題】 II-VI族化合物半導体結晶基板を用いて、発光強度の高い光電変換機能素子を安定して製造できる方法を提供する。【解決手段】 周期表第12(2B)族元素および第16(6B)族元素からなる化合物半導体結晶基板を用い、第1の導電型の前記基板を第2の導電型にする元素を含む拡散源を前記基板表面に配置し、当該拡散源に熱処理を施して熱拡散によりpn接合を形成し、前記基板に電極を形成する光電変換機能素子の製造方法において、前記電極を形成形成する工程で行われる熱処理を、前記熱拡散により形成されたpn接合に影響を与えない条件で行うようにしたので、拡散源を熱拡散して形成されたpn接合は発光強度を高くするのに最適な接合深さで維持されるため、発光強度の高い光電変換機能素子を製造することができるようになった。
請求項（抜粋）：
周期表第12(2B)族元素および第16(6B)族元素からなる化合物半導体結晶基板を用い、第1の導電型の前記基板を第2の導電型にする元素を含む拡散源を前記基板表面に配置し、当該拡散源に熱処理を施して熱拡散によりpn接合を形成し、前記基板の表裏に電極を形成する光電変換機能素子の製造方法であって、前記電極を形成する工程で行われる熱処理は、前記熱拡散により形成されたpn接合に影響を与えない条件で行われることを特徴とする光電変換機能素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 33/00 D
, H01S 5/327
5F041AA11
, 5F041CA22
, 5F041CA41
, 5F041CA43
, 5F041CA48
, 5F041CA72
, 5F041CA73
, 5F041CA98
, 5F073CA22
, 5F073CB19
, 5F073CB22
, 5F073DA12
, 5F073DA16
, 5F073DA24
, 5F073DA30
, 5F073DA35
