特許
J-GLOBAL ID：200903016160931719
半導体装置リード部のめっき方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-335012
公開番号（公開出願番号）：特開平7-202100
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置のリード部にめっき膜を略均一な厚さで形成できる半導体装置リード部のめっき方法を提供する。【構成】 半導体装置をめっき液中に浸漬し、半導体装置のリード部とこのリード部に整合して配設されたアノード電極との間に、正のパルス電流とこの正のパルス電流よりも絶対値が小さい負のパルス電流とを交互に供給する。
請求項（抜粋）：
半導体装置のリード部をめっき液中に浸漬し、このめっき液中に配設されたアノード電極と前記リード部との間に、正のパルス電流とこの正のパルス電流よりも絶対値が小さい負のパルス電流とを交互に供給して前記リード部にめっき膜を形成することを特徴とする半導体装置リード部のめっき方法。
IPC (2件)：
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