特許

J-GLOBAL ID：200903016160993552

不揮発メモリ装置

発明者： 角田 隆行 ,  平井 匡彦
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (2件)： 西山 恵三 ,  内尾 裕一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-421309
公開番号（公開出願番号）：特開2005-183619
出願日： 2003年12月18日
公開日（公表日）： 2005年07月07日
要約：

【課題】 ガラスや樹脂のような絶縁性表面を有する基板上に集積回路を形成し、所望のセルを選択することができるような不揮発メモリ装置を提供する。【解決手段】 絶縁性表面を有する基板上に、記憶素子と、該記憶素子に電気的に接続されたスイッチング素子と、該スイッチング素子に電気的に接続された引き出し配線と、が配置された不揮発メモリ装置であって、前記スイッチング素子が有機半導体を有し、前記記憶素子は誘電体材料を含み、かつ高インピーダンス状態と低インピーダンス状態の少なくとも2つの状態を選択することにより情報を記憶する素子であることを特徴とする不揮発メモリ装置を提供する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

絶縁性表面を有する基板上に、 記憶素子と、該記憶素子に電気的に接続されたスイッチング素子と、 該スイッチング素子または前記記憶素子に電気的に接続された複数の引き出し配線と、が配置された不揮発メモリ装置であって、 前記スイッチング素子が有機半導体を有し、 前記記憶素子は誘電体材料を含み、かつ高インピーダンス状態と低インピーダンス状態の少なくとも2つの状態を選択することにより情報を記憶する素子であることを特徴とする不揮発メモリ装置。

IPC (4件)：

H01L27/10 ,  G11C13/00 ,  H01L49/02 ,  H01L51/00

FI (4件)：

H01L27/10 451 ,  G11C13/00 Z ,  H01L49/02 ,  H01L29/28

Fターム (9件)：

5F083FZ07 ,  5F083HA02 ,  5F083JA01 ,  5F083JA02 ,  5F083JA06 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083PR22 ,  5F083PR23

引用特許：

出願人引用 (2件)

• U.S.Pat.No.6034882
  
• メモリのセル構造及びメモリデバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-375809   出願人：セイコーエプソン株式会社