特許

J-GLOBAL ID：200903016165344889

p型Ga2O3膜の製造方法およびpn接合型Ga2O3膜の製造方法

発明者： 一ノ瀬 昇 ,  島村 清史 ,  青木 和夫 ,  ガルシア ビジョラ エンカルナシオン アントニア
出願人/特許権者： 学校法人早稲田大学
代理人 (1件)： 平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-290845
公開番号（公開出願番号）：特開2006-108263
出願日： 2004年10月01日
公開日（公表日）： 2006年04月20日
要約：

【課題】 高品質のGa2O3系化合物半導体からなる薄膜を形成することができるp型Ga2O3膜の製造方法およびpn接合型Ga2O3膜の製造方法を提供する。【解決手段】 真空層52内を減圧し、酸素ラジカルを注入しながらセル55aを加熱し、Gaの分子線90、およびセル55bを加熱し、Mgの分子線90をGa2O3系化合物からなる基板25上に照射して、基板25上にp型β-Ga2O3からなるp型β-Ga2O3層を成長させる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

酸素欠陥を低減して絶縁性のGa2O3膜を形成する第1のステップと、 前記絶縁性のGa2O3膜にアクセプタをドープしてp型Ga2O3膜を形成する第2のステップを有することを特徴とするp型Ga2O3膜の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/203 ,  C23C 14/08 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01L21/203 M ,  C23C14/08 J ,  H01L33/00 A

Fターム (21件)：

4K029AA04 ,  4K029BA43 ,  4K029BB09 ,  4K029BD01 ,  4K029CA02 ,  4K029DB03 ,  4K029DB18 ,  5F041AA11 ,  5F041CA02 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA66 ,  5F103AA04 ,  5F103DD30 ,  5F103HH03 ,  5F103HH04 ,  5F103JJ01 ,  5F103KK10 ,  5F103LL20 ,  5F103RR05

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 窒化ガリウム系発光素子および製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-077251   出願人：旭化成工業株式会社

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-142812
  
• 特開平3-203226
  
• 紫外透明導電膜とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-182643   出願人：科学技術振興事業団, 太田裕道, 折田政寛