特許

J-GLOBAL ID：200903016167014975

薄膜半導体の製造方法

発明者： 直本 英郎
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-072247
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270359
出願日： 1997年03月25日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：

【要約】【解決手段】 薄膜半導体を部分的に加熱、溶融させ、その溶融させた部分を移動させることにより前記薄膜半導体を連続的に再結晶化させる薄膜半導体の製造方法において、2層の薄膜半導体4及び6を絶縁膜3、5、7で挟んで形成する第1の工程と、前記2層の薄膜半導体4、6を一度に溶融、再結晶化させる第2の工程とを含む。【効果】 結晶品質を低下することなく処理能力を大幅に向上することができる。

請求項（抜粋）：

薄膜半導体を部分的に加熱、溶融させ、その溶融させた部分を移動させることにより前記薄膜半導体を連続的に再結晶化させる薄膜半導体の製造方法において、2層以上の薄膜半導体を絶縁膜で挟んで形成する第1の工程と、前記2層以上の薄膜半導体を一度に溶融、再結晶化させる第2の工程とを含むことを特徴とする薄膜半導体の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 27/12 ,  H01L 31/04

FI (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 27/12 R ,  H01L 31/04 X ,  H01L 31/04 T