特許

J-GLOBAL ID：200903016168752732

CVケーブルのメタン乾燥方法

発明者： 馬淵 利明 ,  鈴木 淳
出願人/特許権者： 株式会社フジクラ
代理人 (1件)： 増田 竹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-390002
公開番号（公開出願番号）：特開2003-187655
出願日： 2001年12月21日
公開日（公表日）： 2003年07月04日
要約：

【要約】【課題】 CVケーブルの製造工程におけるメタン乾燥にかかる時間を短縮することを目的とする。【解決手段】 導体上に架橋ポリオレフィンによる絶縁層を形成するとともに、その外側に塩化ビニルによるシースを設けたCVケーブルの製造工程において、ジクミルパーオキサイドを架橋剤として配合するとともに、老化防止剤を配合したポリオレフィン組成物を導体上に被覆して架橋し、架橋ポリオレフィンによる絶縁層を形成した後、この架橋ポリオレフィンからなる絶縁層を設けたケーブルを、温度70°C以下の超臨界流体雰囲気下で乾燥処理し、架橋ポリオレフィン中に含有される老化防止剤の低減を伴うことなく、架橋ポリオレフィン中のメタンの残留量を0.1cc/g以下に低減する。

請求項（抜粋）：

導体上に架橋ポリオレフィンによる絶縁層を形成するとともに、その外側に塩化ビニルによるシースを設けたCVケーブルの製造工程において、ジクミルパーオキサイドを架橋剤として配合するとともに、老化防止剤を配合したポリオレフィン組成物を導体上に被覆して架橋し、架橋ポリオレフィンによる絶縁層を形成した後、この架橋ポリオレフィンからなる絶縁層を設けたケーブルを、温度70°C以下の超臨界流体雰囲気下で乾燥処理し、架橋ポリオレフィン中に含有される老化防止剤の低減を伴うことなく、架橋ポリオレフィン中のメタンの残留量を0.1cc/g以下に低減することを特徴とするCVケーブルのメタン乾燥方法。

IPC (7件)：

H01B 13/14 ,  B29C 47/02 ,  B29C 71/02 ,  H01B 13/00 541 ,  B29K 23:00 ,  B29L 9:00 ,  B29L 31:00

FI (7件)：

H01B 13/14 A ,  B29C 47/02 ,  B29C 71/02 ,  H01B 13/00 541 ,  B29K 23:00 ,  B29L 9:00 ,  B29L 31:00

Fターム (31件)：

4F201AA03 ,  4F201AA04 ,  4F201AB03 ,  4F201AB06 ,  4F201AD15 ,  4F201AH35 ,  4F201AR02 ,  4F201AR06 ,  4F201BA07 ,  4F201BC01 ,  4F201BC13 ,  4F201BC15 ,  4F201BC37 ,  4F201BD05 ,  4F201BR17 ,  4F201BR35 ,  4F201BR50 ,  4F207AA03 ,  4F207AB02 ,  4F207AB06 ,  4F207AD03 ,  4F207AD18 ,  4F207AG03 ,  4F207AH35 ,  4F207AR06 ,  4F207KA01 ,  4F207KA17 ,  4F207KB18 ,  4F207KM16 ,  4F207KM20 ,  5G325GB29