特許

J-GLOBAL ID：200903016169120608

表面処理方法

発明者： 西野 弘剛 ,  伊藤 仁
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-181435
公開番号（公開出願番号）：特開平6-029264
出願日： 1992年07月09日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、半導体,金属表面のハロゲン除去を目的とする。【構成】 光や荷電粒子の照射や高温のガスの接触を間欠的に,もしくは試料裏面を冷却しながら行うことにより、あるいは加熱や光照射などを行った後、試料表面構成原子と揮発性の化合物をつくる電気的に中性な非ハロゲンガスを接触させることにより残留ハロゲンを除去する。【効果】 半導体素子の特性や歩留りが向上する。

請求項（抜粋）：

被処理体にハロゲン元素を含むガスを用いる処理を行う工程と、前記被処理体の表面を大気に晒すことなく、且つ前記被処理体の内部を所定温度以下に保持しながら、前記被処理体表面にエネルギービームを照射するか、或いは活性化されたガスを接触させる工程とを含むことを特徴とする表面処理方法。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-096226
  
• 特開昭62-086731
  
• 特開平2-185030
  
• 特開平2-230731