半導体の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-209917
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036053
出願日： 1995年07月25日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：

【要約】【課題】端部の膜圧が低下する等の不具合が生じることなく成膜を行う。【解決手段】半導体の製造方法は、チャンバ4内でウェハ基板6が載置された外側周囲のサセプタ18箇所から上方に不活性ガスを噴出させつつ、反応ガスを反応させてウェハ基板6の周縁部を除く表面に被膜を生成するようにしたものである。前記ウェハ基板6の周縁部の上方に、下方に開口された排気ポート34を設ける。この排気ポート34により前記不活性ガスを上方に吸引して、ウェハ基板6の周縁部に不活性ガスのガスカーテンを形成し、周縁部への被膜を防止する。前記排気ポート34は、ウェハ基板6の周縁部上の不活性ガスを吸引する第1排気ポート3402と、第1排気ポート3402の内側に設けられウェハ基板6の周縁部近傍のガスを吸引する第2排気ポート3404とで構成されている。

請求項（抜粋）：

反応ガスが導入されるチャンバと、前記チャンバ内に設けられるウェハ基板載置用のサセプタとを備え、前記サセプタ上にウェハ基板を載置し、前記チャンバ内でウェハ基板が載置された外側周囲のサセプタ箇所から上方に不活性ガスを噴出させつつ、反応ガスを反応させてウェハ基板の周縁部を除く表面に被膜を生成するようにした半導体の製造方法において、前記ウェハ基板の周縁部の上方に、下方に開口された排気ポートを設け、前記排気ポートにより前記不活性ガスを上方に吸引するようにした、ことを特徴とする半導体の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , C23C 16/44 , H01L 21/285

FI (3件)：

H01L 21/205 , C23C 16/44 D , H01L 21/285 C

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