特許

J-GLOBAL ID：200903016172200620

バンプ電極の形成方法

発明者： 村 満
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-110565
公開番号（公開出願番号）：特開平7-297196
出願日： 1994年04月25日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：

【要約】【目的】 均一な高さでしかも良好な状態となるバンプ電極の形成方法を提供すること。【構成】 本発明は、先ず基板1の電極パッド11上方に開口部11aを設けたマスク材2を形成し、電極パッド11上で開口部11a内を埋める状態にバンプ用金属3を着設してバンプ用金属3とマスク材2とを所定量削り、残ったマスク材2を取り除いてバンプ電極30を形成する方法である。またマスク材2よりも厚くバンプ用金属3を着設してマスク材2の表面位置まで削った後、マスク材2を除去する形成方法でもあり、この場合にバンプ用金属3より硬いマスク材2を用いたり、バンプ用金属3を選択研磨する研磨材41を用いたりする。

請求項（抜粋）：

基板に設けられた電極パッド上にバンプ電極を形成する方法であって、先ず、前記基板の表面で前記電極パッドの上方を開口した状態に所定厚さのマスク材を形成し、次に、前記電極パッド上で前記マスク材の開口部内を埋める状態にバンプ用金属を着設し、次いで、前記バンプ用金属を前記マスク材とともに所定量削った後、残ったマスク材を取り除くことを特徴とするバンプ電極の形成方法。