レジスト材料

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小島隆司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-293878
公開番号（公開出願番号）：特開2002-107934
出願日： 2000年09月27日
公開日（公表日）： 2002年04月10日
要約：

【要約】【解決手段】下記一般式(1)で示されるヒドロキシ基を有するアントラセン環を含む繰り返し単位と、カルボキシル基の水酸基の水素原子が酸不安定基によって置換された基を有する繰り返し単位とを有する重合体を含有することを特徴とするレジスト材料。【化1】(式中、R1は水素原子、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、又は炭素数6〜20のアリール基であり、aは1〜5の整数である。)【効果】本発明のレジスト材料は電子ビーム露光における露光後の真空放置の安定性に優れ、Cr基板上での裾引きが小さく、感度、解像性、プラズマエッチング耐性に優れている。従って、本発明のレジスト材料は、これらの特性より、特にマスク基板加工における微細パターン形成材料として好適である。

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で示されるヒドロキシ基を有するアントラセン環を含む繰り返し単位と、カルボキシル基の水酸基の水素原子が酸不安定基によって置換された基を有する繰り返し単位とを有する重合体を含有することを特徴とするレジスト材料。【化1】(式中、R1は水素原子、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、又は炭素数6〜20のアリール基であり、aは1〜5の整数である。)

IPC (9件)：

G03F 7/039 601 , C08F212/32 , C08F220/10 , C08F222/10 , C08F222/40 , C08F232/00 , C08K 5/00 , C08L101/12 , H01L 21/027

FI (9件)：

G03F 7/039 601 , C08F212/32 , C08F220/10 , C08F222/10 , C08F222/40 , C08F232/00 , C08K 5/00 , C08L101/12 , H01L 21/30 502 R

Fターム (64件)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AA09 , 2H025AB08 , 2H025AB16 , 2H025AC05 , 2H025AC06 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB08 , 2H025CB10 , 2H025CB14 , 2H025CB16 , 2H025CB41 , 2H025CB45 , 2H025CC03 , 2H025CC20 , 2H025FA12 , 4J002BC121 , 4J002EB006 , 4J002EJ038 , 4J002EJ048 , 4J002EJ058 , 4J002EN027 , 4J002EN037 , 4J002EN047 , 4J002EN057 , 4J002EN107 , 4J002EP017 , 4J002EQ016 , 4J002ES016 , 4J002EU027 , 4J002EU037 , 4J002EU057 , 4J002EU077 , 4J002EU117 , 4J002EU127 , 4J002EU137 , 4J002EU227 , 4J002EU237 , 4J002EV216 , 4J002EV246 , 4J002EV296 , 4J002EV327 , 4J002FD206 , 4J002FD207 , 4J002FD208 , 4J002GP03 , 4J100AB00P , 4J100AB00R , 4J100AL03Q , 4J100AL08Q , 4J100AM47Q , 4J100BA02R , 4J100BA03P , 4J100BA20Q , 4J100BC03Q , 4J100BC09Q , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100JA38

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