プラズマ処理装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高山宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-116304
公開番号（公開出願番号）：特開2001-298015
出願日： 2000年04月18日
公開日（公表日）： 2001年10月26日
要約：

【要約】【課題】より微細化に対応可能な高密度プラズマを用いたプラズマ処理において、電極表面における電界分布の不均一を小さくすることが可能なプラズマ処理装置およびそれに用いられる電極を提供すること。【解決手段】被処理基板Wに所定のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、上部電極21は、下部電5に対向するように設けられた電極板23と、この電極板23の裏面側中央部に設けられた誘電体部材61とを有し、誘電体部材61は、供給される高周波電力の周波数において共振が生じ、かつその中に電極板に対して直交する電界が生じるようにその寸法および誘電率が決定される。

請求項（抜粋）：

チャンバー内に第1および第2の電極を互いに平行に設け、前記第2の電極に被処理基板を支持させた状態で、減圧下に保持されたチャンバー内に処理ガスを導入しつつ前記第1の電極に高周波電力を供給し、これら電極間に高周波電界を形成して処理ガスのプラズマを生成し、このプラズマにより被処理基板に所定のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、前記第1の電極は、第2の電極に対向するように設けられた、導電体または半導体で構成された電極板と、この電極板の第2の電極側と反対側の面に設けられ電極板を支持する導電性の支持体と、この支持体の中央部の凹部に設けられた誘電体部材とを有し、前記誘電体部材は、供給される高周波電力の周波数において共振が生じ、かつその中に電極板に対して直交する電界が生じるようにその寸法および誘電率が決定されることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (6件)：

H01L 21/3065 , B01J 19/08 , C23C 16/509 , C23F 4/00 , H01L 21/205 , H05H 1/46

FI (6件)：

B01J 19/08 H , C23C 16/509 , C23F 4/00 A , H01L 21/205 , H05H 1/46 M , H01L 21/302 C

Fターム (49件)：

4G075AA30 , 4G075BC02 , 4G075BC04 , 4G075BC06 , 4G075BD14 , 4G075CA25 , 4G075CA47 , 4G075EB42 , 4G075EC21 , 4G075FC11 , 4K030FA03 , 4K030JA18 , 4K030KA15 , 4K030KA30 , 4K030KA46 , 4K057DA16 , 4K057DB06 , 4K057DD01 , 4K057DM05 , 4K057DM06 , 4K057DM08 , 4K057DM18 , 4K057DM32 , 4K057DM33 , 5F004AA01 , 5F004AA16 , 5F004BA06 , 5F004BB13 , 5F004BB22 , 5F004BB25 , 5F004BC06 , 5F004DA01 , 5F004DA02 , 5F004DA03 , 5F004DA15 , 5F004DA16 , 5F004DB03 , 5F045AA08 , 5F045EB08 , 5F045EH04 , 5F045EH05 , 5F045EH08 , 5F045EH14 , 5F045EH19 , 5F045EJ02 , 5F045EJ03 , 5F045EJ09 , 5F045EJ10 , 5F045EM05

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