特許
J-GLOBAL ID：200903016185496561
偏光ホログラム素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-147771
公開番号（公開出願番号）：特開2000-338326
出願日： 1999年05月27日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：
【要約】【課題】 横広がりを低減するプロトン交換層を有する偏光ホログラム素子の製造方法を提供する。【解決手段】 偏光ホログラム素子の作製方法において、基板2上に金属層マスク5を形成した後、金属層マスク5に覆われた以外の基板2に溝4を形成後、この基板をプロトン交換処理液中に浸し、基板2中のイオンとプロトン交換処理液中の水素イオンとのイオン交換を行って、溝4から露出した基板2中にプロトン交換層3を形成する。
請求項（抜粋）：
基板上に金属層を形成し、この金属層上にフォトレジストパターンを形成した後、前記フォトレジストパターンに覆われた以外の前記金属層を基板に達するまでエッチングして金属層マスクを形成する工程と、前記フォトレジストパターンを除去後、前記金属層マスクに覆われた以外の前記基板をエッチングして所定深さの溝を形成する工程と、前記基板をプロトン交換処理液中に浸し、前記基板中のイオンと前記プロトン交換処理液中の水素イオンとのイオン交換を行って、前記溝から露出した前記基板中にプロトン交換層を形成する工程とからなることを特徴とする偏光ホログラム素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (14件)：
2H049AA36
, 2H049AA37
, 2H049AA48
, 2H049AA57
, 2H049AA59
, 2H049BA05
, 2H049BA42
, 2H049BA45
, 2H049BA47
, 2H049BC25
, 2H049CA15
, 2H049CA20
, 2H049CA23
, 2H049CA28
