特許
J-GLOBAL ID:200903016189940083

多層セラミック基板の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小鍜治 明 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-225501
公開番号(公開出願番号):特開平7-086743
出願日: 1993年09月10日
公開日(公表日): 1995年03月31日
要約:
【要約】【目的】 本発明は、ガラス・セラミック基板が焼成時において厚み方向だけ収縮し、平面方向には収縮しない多層基板が得ることを目的とするものである。【構成】 ガラス・セラミック材料と有機バインダと可塑剤からなるグリーンシートを作製し、電極パターンを形成し、前記グリーンシートと別の電極パターン形成済みグリーンシートとを所望枚数積層し、前記低温焼結ガラス・セラミックよりなる第1の積層体の両面に、基板の焼成温度では焼結しない無機組成物によるグリーンシートを積層し第2の積層体を形成し、前記第2の積層体を焼成する多層セラミック基板の製造方法において、電極形成は金属導体を使用する。このため、低抵抗値の導体を有し、基板ワレのない信頼性の高い多層セラミック基板を製造できる。
請求項(抜粋):
ガラス・セラミック材料と有機バインダと可塑剤からなるグリーンシートを作製し、電極パターンを形成し、前記グリーンシートと別の電極パターン形成済みグリーンシートとを所望枚数積層し、低温焼結ガラス・セラミックよりなる第1の積層体の両面に、基板の焼成温度では焼結しない無機組成物によるグリーンシートを積層して第2の積層体を形成し、前記第2の積層体を焼成する多層セラミック基板の製造方法において、電極形成は金属導体を使用することを特徴とする多層セラミック基板の製造方法。
引用特許:
審査官引用 (4件)
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