特許

J-GLOBAL ID：200903016194652851

多結晶シリコンの製造方法

発明者： 奈良 正功
出願人/特許権者： JFEスチール株式会社
代理人 (1件)： 小林 英一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-079877
公開番号（公開出願番号）：特開2004-284892
出願日： 2003年03月24日
公開日（公表日）： 2004年10月14日
要約：

【課 題】結晶粒の大きい多結晶シリコンを効率良く製造し、かつインゴット全体の結晶粒径が均一な多結晶シリコンを製造する方法を提供する。【解決手段】溶融したシリコンを鋳型内でキャスト法によって凝固させてシリコンインゴットを得る多結晶シリコンの製造方法において、凝固初期にデンドライトを発生させて、デンドライトから溶融シリコンを凝固させて結晶を成長させる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

溶融したシリコンを鋳型内でキャスト法によって凝固させてシリコンインゴットを得る多結晶シリコンの製造方法において、凝固初期にデンドライトを発生させて、前記デンドライトから溶融シリコンを凝固させて結晶を成長させることを特徴とする多結晶シリコンの製造方法。

IPC (2件)：

C01B33/02 ,  B22D27/04

FI (2件)：

C01B33/02 E ,  B22D27/04 A

Fターム (6件)：

4G072AA01 ,  4G072BB12 ,  4G072GG03 ,  4G072HH01 ,  4G072NN02 ,  4G072UU02