強い電界に対する保護構造を備えた集積装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-290092
公開番号（公開出願番号）：特開平8-255906
出願日： 1995年11月08日
公開日（公表日）： 1996年10月01日
要約：

【要約】【課題】集積装置において、電界に対する保護構造を提供する。【解決手段】保護構造は、本装置のゲート/ソース領域6に電気的に接続され、かつ第1の電位を有する櫛形部34と、本装置のドレイン領域15に電気的に接続され、かつ第2の電位を有する櫛形部35により形成されている。櫛形部34は幾つかの隙間により分離された指状部32を備えており、櫛形部35は前記の複数の隙間に伸び、かつ櫛形構造を形成する指状部33を備えている。これにより、相互に組み合わされる櫛形構造の対により形成され、かつ、第1および第2の電位の中間の電位を有する保護領域に、半導体物質の基板1が面している。

請求項（抜粋）：

表面(11)を呈し、少なくとも第1の電位を有する第1の装置領域(6)と、第1の電位とは異なる第2の電位を有する第2の装置領域(15)とを含む半導体物質の基板(1)と、前記半導体物質の基板(1)の前記表面(11)上に伸びる電位分布領域(34、35;70、73;82;83;92)を含む、電界に対する保護構造とを有し、前記電位分布領域は、前記第1の装置領域(6)に電気的に接続された第1の導電物質領域(34;70)と、前記第2の装置領域(15)に電気的に接続された第2の導電物質領域(35;73;82;83;92)とを含んでいる集積装置であって、前記第1の導電物質領域(34;70)が櫛形形状であり、複数の隙間により分離された第1の複数の指状部(32;71)を備え、前記第2の導電物質領域(35;73;82;83)が、前記複数の隙間に伸長する部分を有し、それにより、組み合わされた1対の櫛形構造により形成され、前記第1および第2の電位の中間電位を有する保護領域に前記半導体物質の基板(1)が面していることを特徴とする集積装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 , H01L 21/8234 , H01L 27/088

FI (3件)：

H01L 29/78 301 S , H01L 27/08 102 F , H01L 29/78 301 G

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭55-150275
特開昭53-072577

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