特許

J-GLOBAL ID：200903016196821073

半導体メモリ装置

発明者： 岩瀬 泰章
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-102823
公開番号（公開出願番号）：特開平5-298877
出願日： 1992年04月22日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：

【要約】【目的】 センスアンプの占有面積を小さくし、消費電力およびピーク電流値の低減化を図る。【構成】 メモリセルMは、m組のビット線対BLj,BLj#とn本のワード線WLiとの交差箇所に配置する。各ビット線対BLj,BLj#の一端には、バストランジスタ対CTj,CTj#を介して同一のセンスアンプSAを接続する。バストランジスタCTj,CTj#は、コラムアドレス信号に基づいてオンになって、一対のビット線対BLj,BLj#に生じた微小電位差ΔVjを選択してセンスアンプSAに送出する。こうして、m組のビット線対BLj,BLj#に読み出したメモリセルMの情報を1つのセンスアンプSAで選択的に増幅することによって、センスアンプ数を減らしてセンスアンプの占有面積を小さくし、消費電力およびピーク電流値の低減化を図るのである。

請求項（抜粋）：

所定数のビット線対と、このビット線対と交差する方向に延在するワード線と、上記ビット線およびワード線の交差する箇所に配置されたメモリセルを有する半導体メモリ装置において、上記各ビット線対の一端が接続された1つの差動型センス増幅器と、コラムアドレス信号に基づいて制御されて、上記各ビット線対を構成するビット線と上記差動型センス増幅器との接続をオン/オフするトランジスタ対を備えて、任意のワード線が選択されることによって上記メモリセルから読み出されて上記所定数のビット線対に生じた微小電位差のうち、上記コラムアドレス信号に基づいてオンとなったトランジスタによって選択されたビット線対の微小電位差のみを上記差動型センス増幅器に送出することを特徴とする半導体メモリ装置。