化合物半導体ウエハの洗浄方法及び洗浄治具

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-121981
公開番号（公開出願番号）：特開2000-315674
出願日： 1999年04月28日
公開日（公表日）： 2000年11月14日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】仕上げポリシュしたGaAsウエハを支持棒を介して洗浄治具内に支持してから洗浄槽内に浸漬処理し、然る後その洗浄治具内に支持した状態のまま洗浄槽より取り出して乾燥装置内へ移して乾燥処理しても、ウエハの表面に洗浄液残査による洗浄液痕跡が全く着かない化合物半導体ウエハの洗浄方法及び洗浄治具を提供する。【解決手段】洗浄槽14内よりウエハ支持棒4,5,6を介してウエハ7を支持した洗浄治具を取り出す際にウエハ支持棒を回動させるようにするウエハの洗浄方法。及び、所定間隔をおいて立設された2側面を形成するキャリアフレーム1と、キャリアフレームの端部により支持される支持棒フレーム2と、支持棒フレームのウエハ支持棒挿入孔内に挿通、支持されたウエハ支持棒とから成る洗浄治具において、ウエハ支持棒の先端部の一側面にフロート固定棒8,9,10を固定し、且つフロート固定棒の先端部にフロート11,12,13を設置して成るウエハの洗浄治具。

請求項（抜粋）：

仕上げポリシュした化合物半導体ウエハを、ウエハ支持棒を介して洗浄治具内に支持してから洗浄槽内に浸漬処理し、それから該洗浄槽内より前記ウエハ支持棒を介して前記化合物半導体ウエハを支持した前記洗浄治具を引上げて乾燥装置内へ移し、然る後該乾燥装置内にて乾燥処理する化合物半導体ウエハの洗浄方法において、前記洗浄槽内より前記ウエハ支持棒を介して前記化合物半導体ウエハを支持した前記洗浄治具を取り出す際に前記ウエハ支持棒を回動させることを特徴とする化合物半導体ウエハの洗浄方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 651 , H01L 21/304 642 , H01L 21/304 648 , H01L 21/68

FI (4件)：

H01L 21/304 651 G , H01L 21/304 642 A , H01L 21/304 648 D , H01L 21/68 T

Fターム (4件)：

5F031CA02 , 5F031DA01 , 5F031MA23 , 5F031PA25

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