特許
J-GLOBAL ID：200903016206244843
半導体装置および半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-171282
公開番号（公開出願番号）：特開平8-037182
出願日： 1994年07月22日
公開日（公表日）： 1996年02月06日
要約：
【要約】【目的】 不要部のポリイミド残渣を除去する工程においてポリイミド膜4の表面に生じるダメージ層を完全に除去し、ポリイミド膜4と封止樹脂および金属膜との密着性を向上させる。【構成】 ポリイミド膜4を窒素雰囲気中で加熱した後に、表面にArプラズマによるスパッタエッチング処理を施して、ダメージ層4bを完全に除去する。【効果】 ダメージ層4bを完全に除去できたので、封止樹脂および金属膜等のポリイミド膜からの剥離を防止でき、信頼性の高い半導体装置および半導体装置の製造方法が得られる。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、上記半導体基板上に設けられ、加熱処理およびスパッタエッチング処理が施された表面を有するポリイミドパターンとを備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/312
, C23F 4/00
, H01L 21/3065
, H01L 21/768
H01L 21/302 N
, H01L 21/90 S
