特許
J-GLOBAL ID：200903016206710364
高解離圧成分含有化合物半導体単結晶の製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内田 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-188439
公開番号（公開出願番号）：特開平5-032488
出願日： 1991年07月29日
公開日（公表日）： 1993年02月09日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 高解離圧成分含有化合物半導体単結晶をチョクラルスキー法で製造する装置において、上軸表面からの放熱を抑制して上軸表面に高解離圧成分の固着を防止し、単結晶化率の向上を可能とした単結晶の製造装置を提供しようとするものである。【構成】 単結晶を引き上げる上軸を熱吸収率の高い材質で作られた円筒部で覆い、るつぼと引き上げ単結晶を収容する気密容器の上部頸部内に液体封止剤の受皿を設けて該受皿の開口と上記円筒部とのシールを確保したことを特徴とする高解離圧成分含有化合物半導体単結晶の製造装置である。
請求項（抜粋）：
高解離圧成分を含有する化合物半導体単結晶をチョクラルスキー法で製造する装置において;前記化合物の融液を収容するためのるつぼと;前記るつぼと引き上げ単結晶を覆う気密容器であって、上部に上軸を通す頸部を有し、前記頸部の内部に液体封止剤を貯留する液体封止剤貯留用受皿を備えた気密容器と;前記上軸表面を覆う熱吸収率の高い材質で作られた円筒部とその上端に液体封止剤貯留用受皿とを備え、上軸に固定された上軸保護体と;前記気密容器頸部の液体封止剤貯留用受皿には前記上軸保護体の円筒部と摺接する開口を有することを特徴とする高解離圧成分含有化合物半導体単結晶の製造装置。
IPC (4件)：
C30B 27/02
, C30B 15/00
, C30B 29/40 501
, H01L 21/208
