特許

J-GLOBAL ID：200903016215381675

電界効果型半導体装置及びその製造方法

発明者： 黒田 英明
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-079525
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250728
出願日： 1995年03月10日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：

【要約】【目的】 LDD構造における高濃度拡散層の位置のばらつきに起因する閾値電圧の変動をなくして、閾値電圧のばらつきを小さくする。【構成】 LDD構造における低濃度拡散層42の接合深さが、チャネル部のうちでソース部に接している部分における空乏層57の深さ方向の幅よりも深い。このため、スペーサ46の幅のばらつきによって、高濃度拡散層52の位置がチャネル長方向にばらついても、所謂ポケット層としての拡散層44とソース部側の空乏層57との位置関係が変動せず、閾値電圧に影響を与えるソース部側の空乏層57内におけるポケット層の不純物量が変動しない。

請求項（抜粋）：

半導体基板中のチャネル部に接している相対的に低濃度の第1の拡散層と前記チャネル部とは反対側で前記第1の拡散層に接している相対的に高濃度の第2の拡散層とでソース部及びドレイン部の夫々が構成されており、前記半導体基板と同一導電型で且つこの半導体基板よりも不純物濃度が高い第3の拡散層が前記第1の拡散層に接して前記チャネル部に設けられている埋め込みチャネル型の電界効果型半導体装置において、前記第1の拡散層の接合深さが、前記チャネル部のうちで前記ソース部に接している部分における空乏層の深さ方向の幅よりも深いことを特徴とする電界効果型半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 29/78 301 L ,  H01L 29/78 301 P ,  H01L 29/78 301 S