特許

J-GLOBAL ID：200903016215840726

アクテイブマトリクス基板

発明者： 川上 順三 ,  橋本 幹雄
出願人/特許権者： シヤープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-236645
公開番号（公開出願番号）：特開平5-072561
出願日： 1991年09月17日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：

【要約】【目的】 低抵抗であるが耐酸性に弱い金属材料を走査線又は信号線に用いても、表示画面上に発生する欠陥を防止して画像品位を向上でき、しかも製造歩留りを高めることができるようにする。【構成】 薄膜トランジスタ18が逆スタガー型の場合には、耐酸性材料で薄膜トランジスタ18のゲート電極4のみを形成し、その上の絶縁膜5にはコンタクトホールを設けておき、このコンタクトホールを介して、絶縁膜5の上の走査線14をゲート電極4に接続する。このため、基板1に近いゲート電極4には耐酸性に優れた材料を使用できる。一方、その上の走査線14には抵抗値の低い材料を使用できる。また、薄膜トランジスタがスタガー型の場合には、耐酸性材料で薄膜トランジスタのソース電極を形成し、その上の絶縁膜にはコンタクトホールを設けておき、このコンタクトホールを介して、絶縁膜の上の信号線をソース電極に接続する。このため、基板に近いソース電極には耐酸性に優れた材料を使用できる。一方、その上の信号線には抵抗値の低い材料を使用できる。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上に複数の信号線と複数の走査線とが交差して設けられ、該信号線と走査線とで囲まれた各領域に、絶縁膜を挟んで片側にゲート電極が、残りの片側にソース電極とドレイン電極とが形成された薄膜トランジスタが、マトリクス状に配設されたアクティブマトリクス基板において、該ゲート電極が基板に近く、該ソース電極とドレイン電極とが基板から離して形成され、基板に近い方のゲート電極が耐酸性材料を使用して島状に形成され、該ゲート電極の一部の上方を通り、かつ、間に該絶縁膜又は別の絶縁膜を介して該走査線が低抵抗材料を使用して形成され、間の絶縁膜に設けたコンタクトホールを介してゲート電極と走査線とが電気的に接続されたアクティブマトリクス基板。

IPC (6件)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/133 550 ,  G02F 1/1343 ,  G02F 1/1345 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/784