特許
J-GLOBAL ID：200903016219462963
窒化インジウムガリウム半導体の成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-106555
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196757
出願日： 1993年05月07日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：
【要約】【目的】 高品質で結晶性に優れた窒化インジウムガリウム半導体の成長方法を提供する。【構成】 原料ガスとして、ガリウム源のガスと、インジウム源のガスと、窒素源のガスとを用い、窒素をキャリアガスとして、600°Cより高い温度で、窒化ガリウム層上に、窒化インジウムガリウム層を成長させる。
請求項（抜粋）：
原料ガスとして、ガリウム源のガスと、インジウム源のガスと、窒素源のガスとを用いて、有機金属気相成長法により窒化インジウムガリウム半導体を成長させる方法において、前記原料ガスのキャリアガスとして窒素を用い、600°Cより高い成長温度で、窒化ガリウム層上に、窒化インジウムガリウム層を成長させることを特徴とする窒化インジウムガリウム半導体の成長方法。
IPC (3件)：
H01L 33/00
, H01L 21/205
, H01L 29/205
