特許

J-GLOBAL ID：200903016224875958

基体検査方法及び装置

発明者： 恒岡 正年
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  山田 行一 ,  鈴木 康仁
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-198942
公開番号（公開出願番号）：特開2004-040060
出願日： 2002年07月08日
公開日（公表日）： 2004年02月05日
要約：

【課題】異物や欠陥の誤判定を十分に防止することができる基体検査方法及び装置を提供する。【解決手段】ステップS1でパーティクルモニターにウェハWをロードし、ステップS2を実行して検査用レシピを作成する。ステップS2では、基本パラメータの設定、位置キャリブレーション、検出器の感度調整、及び位置情報の記述を順次実施する。それから、ウェハW表面のバックグラウンド変動に基づいて、ウェハW上の検査部位における複数の仮想領域の個々に対して動的に割り当てられるしきい値RSjを決定する。そして、このしきい値RSjを用いてウェハWのパーティクル検査を行う。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

基体の表面にプローブ光を照射し、該基体からの散乱光に基づいて該基体上の異物又は欠陥の有無を判定する基体検査方法であって、 前記散乱光の強度の変動に基づいて、前記基体の検査対象となる表面部位におけるバックグラウンドレベルの変動を取得し、 前記検査対象となる表面部位を複数の仮想領域に分割し、 前記分割された各仮想領域のうち任意の単一又は複数の仮想領域におけるバックグラウンドレベルに基づいて、該単一又は複数の仮想領域と同一又は異なる各仮想領域における異物又は欠陥とバックグラウンドとの判別に用いる単一又は複数のしきい値を決定し、 前記基体における前記散乱光の出射部位、該散乱光の強度、及び、前記複数の仮想領域のうち該出射部位に対応する仮想領域に対して決定された前記しきい値に基づいて、異物又は欠陥とバックグラウンドとを判別する、 ことを特徴とする基体検査方法。

IPC (1件)：

H01L21/66

FI (1件)：

H01L21/66 J

Fターム (4件)：

4M106AA01 ,  4M106BA05 ,  4M106CA41 ,  4M106DB21

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 外観検査法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-365134   出願人：旭化成株式会社