特許

J-GLOBAL ID：200903016228119651

半導体量子井戸構造

発明者： 河野 健治
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-274692
公開番号（公開出願番号）：特開平7-128622
出願日： 1993年11月02日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：

【要約】【目的】 低損失かつ低駆動電圧の半導体量子井戸構造を提供することを目的とする。【構成】 半導体量子井戸構造は、障壁層によって隔てられた第一量子井戸層と第二量子井戸層とからなる結合量子井戸と、該結合量子井戸内の波動関数とこの結合量子井戸に隣接する隣接結合量子井戸内の波動関数との結合を抑圧するようにして該結合量子井戸の両側に設けられた結合量子井戸外障壁層とからなる半導体量子井戸構造において、少なくとも第一または第二量子井戸層内に、第一量子井戸層内における正孔の存在確率を低滅させるための少なくとも一つの量子井戸層内障壁層が設けられている。

請求項（抜粋）：

障壁層によって隔てられた第一量子井戸層と第二量子井戸層とからなる結合量子井戸と、前記結合量子井戸内の波動関数と前記結合量子井戸に隣接する隣接結合量子井戸内の波動関数との結合を抑圧するようにして前記結合量子井戸の両側に設けられた結合量子井戸外障壁層とからなる半導体量子井戸構造において、少なくとも前記第一量子井戸層内に、前記第一量子井戸層内における正孔の存在確率を低減させるための少なくとも一つの量子井戸層内障壁層が設けられたことを特徴とする半導体量子井戸構造。