特許

J-GLOBAL ID：200903016232619944

半導体装置及びその製造方法

発明者： 岩佐 隆行 ,  舟木 正紀
出願人/特許権者： 日本ビクター株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-281293
公開番号（公開出願番号）：特開平8-125006
出願日： 1994年10月20日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：

【要約】【目的】 素子の微細化を可能にする。【構成】 この半導体装置は、図(D)に示すように、低濃度のウェル23,24の深い位置からフィールド酸化膜29下に連なってウェル23,24と同じ導電型を有する高濃度領域27,28が形成されており、フィールド酸化膜29下の浅い位置には高濃度領域27,28が接するようにして存在しているが、ソース領域30やドレイン領域31と高濃度領域27,28との間には、低濃度のウェル23,24が存在するような構造となっている。

請求項（抜粋）：

半導体基板のウェル内に形成された一導電型の素子と隣接する反対導電型の素子とをフィールド酸化膜によって電気的に分離している半導体装置であって、前記ウェル中の前記一導電型の素子の形成されている領域よりも深い位置から前記フィールド酸化膜下に連なって前記ウェルと同じ導電型を有する高濃度領域が形成されていることを特徴とする半導体装置。