マイクロエレクトロニクスの製造に使用するための平坦な分離方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：古谷馨 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-508102
公開番号（公開出願番号）：特表平9-502303
出願日： 1994年07月15日
公開日（公表日）： 1997年03月04日
要約：

【要約】マイクロエレクトロニクスデバイスの製造時に、個々のデバイスを電気的に分離する方法に関する。この方法は、半導体産業で現在使用される、酸化膜分離方法を置き換えることを意図するものである。本発明の第1の実施例において、分離構造内に形成すべきシリコンの領域が、希ガス注入物の1つ又は幾つかのドーズにさらされる。希ガス注入物により引き起こされる、横方向損傷を低減する手段として、基板内に非晶質層を生成するために、ゲルマニウム注入が、希ガス注入に先行され得る。希ガス注入の後に、注入済み領域を安定化する、短時間で、低温の電気炉アニールが続く。希ガス注入物は、注入済み領域におけるエピタキシャル再成長を抑制し、それにより高い比抵抗が生成され、漏洩電流が、無視しうるレベルにまで低減される。本発明の第2の実施例において、分離構造内に形成すべきシリコン基板の領域は、ゲルマニウムの1つ又は幾つかのドーズにさらされる。次に、ゲルマニウム注入の後に、短時間で、低温の電気炉アニールが続く。本発明のどちらの実施例でも、その結果は、非常に効果的で、実質的に平坦な分離構造となり、それにより、標準的な分離技術の欠点の多数が克服される。

請求項（抜粋）：

基板上に製造される、集積回路の個々の活性素子領域を電気的に分離するための方法において、分離構造を形成すべき基板上において、分離領域を識別するステップであって、分離構造は、活性素子領域間の電気的接続の形成を阻止することを意図するものである、識別ステップと、分離構造に形成すべき分離領域内に、希ガスを注入するステップであって、希ガス注入は、基板内に、約1原子パーセント以上の希ガス濃度を生成するように実施され、更に、希ガスは、ヘリウムよりも大きな原子質量を有する、注入ステップと、基板にアニールを実施するステップであって、エピタキシャル再成長を最大化し、且つ希ガス注入のガス放出を最小化する、アニールステップと、を含む分離方法。

IPC (2件)：

H01L 21/761 , H01L 21/265

FI (5件)：

H01L 21/76 J , H01L 21/265 J , H01L 21/265 Z , H01L 21/265 Q , H01L 21/265 A

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