特許
J-GLOBAL ID：200903016238428008
半導体素子接合用ダイボンド材
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-336465
公開番号（公開出願番号）：特開平9-181099
出願日： 1995年12月25日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：
【要約】【課題】 半田材料の酸化現象を抑えて熱疲労劣化を防止するダイボンド材を提供する。【解決手段】 錫95重量%および亜鉛5重量%からなる合金(融点213°C)100gに対して、シリコン粉末(融点1412°C)を2g添加した後、窒素雰囲気中で溶融撹拌して、半導体素子接合用ダイボンド材のインゴットを作製した。そして、このダイボンド材を直径1mmのダイボンド材線(半田線)1に加工した後、不活性雰囲気中で約300°Cの温度に加熱されたリードフレームなどの支持基板2に接触させ、溶融滴3を形成した。その後、半導体素子4を溶融している溶融滴3に治具により押圧し、冷却固化させてダイボンド工程を終了した。
請求項（抜粋）：
錫と亜鉛を主成分とした半導体素子接合用ダイボンド材であって、前記ダイボンド材に対して前記ダイボンド材よりも融点が高くかつ合金を構成する元素を1種類以上含むことを特徴とする半導体素子接合用ダイボンド材。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/52 E
, H01L 21/52 G
, C22C 13/00
