特許

J-GLOBAL ID：200903016247900011

半導体発光素子及びその製造方法

発明者： 村岡 泰嗣
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-048254
公開番号（公開出願番号）：特開平11-251680
出願日： 1998年02月27日
公開日（公表日）： 1999年09月17日
要約：

【要約】【課題】レーザダイオードの直流抵抗を余り上昇させずに活性層への多数キャリア閉じ込めを高いレベルで達成する。【解決手段】それぞれ4元系材料を主材料とする第1のクラッド層4、活性層6、第2のクラッド層8を基板2上に直接に又はバッファ層を介して順に積層してなる光導波構造を有する。活性層6に対するバンドギャップが第1又は第2のクラッド層4,8より大きな材料のキャリア閉じ込め層10を、少なくとも第2のクラッド層8と活性層6との間に介在させる。4元系材料は例えばAlGaInPであり、この場合、第1及び第2のクラッド層4,8の組成を(Alx Ga1-x )0.5 In0.5 Pとしたとき、キャリア閉じ込め層10の組成を(Aly Ga1-y )0.5 In0.5 P(y>x)とする。

請求項（抜粋）：

それぞれ4元系材料を主材料とする第1のクラッド層、活性層、第2のクラッド層を半導体基板上に直接に又はバッファ層を介して順に積層してなる光導波構造を有し、動作電流により励起した光を活性層を中心とした領域に閉じ込め、発振後に出射する半導体発光素子であって、前記活性層に対するバンドギャップが前記第1又は第2のクラッド層より大きな材料のキャリア閉じ込め層を、少なくとも第2のクラッド層と活性層間に介在させてなる半導体発光素子。