半導体集積回路

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮田金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-274403
公開番号（公開出願番号）：特開平11-110067
出願日： 1997年10月07日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：

【要約】【課題】 EMI強度を各周波数成分に分散させ、EMI強度の低減を的確に行える半導体集積回路を得る。【解決手段】内部論理回路を複数のブロック37,38,39,40に分割し、異なるデューティ比を持つ複数のクロック信号を、複数の前記内部論理回路ブロック37,38,39,40にそれぞれ印加する。

請求項（抜粋）：

電圧調整信号に応じて動作し、異なる遅延値を持つ複数の出力を導出できる発振器と、印加されたクロック入力信号と前記発振器の任意の出力との位相を比較し、位相を一致させるように発振器の周波数を調整できる位相比較回路と、前記発振器の各出力から異なるデューティ比を持つ複数のクロック信号を出力できるクロック生成回路と、複数ブロックに分割された複数の内部論理回路ブロックとを備え、前記クロック生成回路からの複数のクロックを複数の前記内部論理回路ブロックにそれぞれ印加することを特徴とする半導体集積回路。

IPC (3件)：

G06F 1/10 , H03K 5/13 , H03L 7/099

FI (3件)：

G06F 1/04 330 Z , H03K 5/13 , H03L 7/08 F

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