特許

J-GLOBAL ID：200903016254601860

高集積強誘電体メモリ

発明者： 岡▲崎▼ 暢一郎 ,  平谷 正彦 ,  高木 一正 ,  櫛田 惠子 ,  鳥居 和功 ,  阪田 健
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-302701
公開番号（公開出願番号）：特開平10-144876
出願日： 1996年11月14日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、特性のばらつきの少ない高集積強誘電体メモリを提供することである。【解決手段】 高集積強誘電体メモリにおいて、キャパシタサイズと強誘電体粒子の大きさが一定の関係を満たす配向性の揃った結晶性強誘電体膜を用いる。【効果】 本発明により、歩留まりの良い、特性の揃った高集積強誘電体メモリが実現できる。

請求項（抜粋）：

強誘電体キャパシタから構成され、該キャパシタを構成する結晶性強誘電体材料の強誘電性を示す結晶構造からのX線回折線のロッキングカーブの半値幅(Δω(°))及びθ-2θ法において回折ピークを与える回折角(θ0、θ軸での値(°))が、Δω/(2θ0)≦0.068×(S・d/((4/3)・π・r3))0.5なる関係(但し、S:強誘電体キャパシタ面積(μm2)、d:強誘電体厚さ(μm)、r:強誘電体粒子平均半径(μm))を満たし、かつ1ギガビット以上の集積度を有することを特徴とする高集積強誘電体メモリ。

IPC (8件)：

H01L 27/10 451 ,  C30B 29/32 ,  G11C 11/22 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (5件)：

H01L 27/10 451 ,  C30B 29/32 Z ,  G11C 11/22 ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371