特許
J-GLOBAL ID：200903016254666547
トレンチゲート半導体装置とその製造
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
吉武 賢次
, 橘谷 英俊
, 佐藤 泰和
, 吉元 弘
, 川崎 康
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-553752
公開番号（公開出願番号）：特表2007-523487
出願日： 2005年02月17日
公開日（公表日）： 2007年08月16日
要約：
トレンチゲートがストライプ状に延在し、ソース領域がストライプ状トレンチゲート間を横切るように延在し、トレンチゲートを横切るソースストライプの投影(20)が投影されたソースストライプ間に中間トレンチ部分(22)を規定し、第二導電型の互いに離間された領域(14,14‘)が、ソース電位に接続された中間トレンチ部分(22)の直下に設けられる縦型トレンチゲート半導体装置。離間領域がドレイン領域からトレンチゲートの部分の選択的にシールドして、トレンチゲート部分のCgd、従って、Qgdへの影響を抑制する。特に、チャネルが形成される電流路を抑制することなしに、装置のチャネル幅に影響を与えないトレンチゲート部分を離間領域がシールドする。
請求項（抜粋）：
上部主表面を有する半導体本体と、前記上部主表面から前記半導体本体内へ延在し、内部に複数の絶縁ゲート電極を有する複数のトレンチを備える複数のトレンチゲートとを備えた縦型トレンチゲート半導体装置であって、前記半導体本体は第一導電型の複数ソース及びドレイン領域を備え、該ソース及びドレイン領域は、前記複数トレンチゲート近傍の第二導電型のチャネル収容領域により分離されおり、前記複数トレンチゲートはストライプ状に延在し、前記複数ソース領域は前記ストライプ状複数トレンチゲート間を横切るように延在し、前記複数トレンチゲートを横切る前記複数ソースストライプの投影が該投影された複数ソースストライプ間に複数の中間トレンチ部分を規定し、そして、前記第二導電型の互いに離間された複数の領域が、ソース電位に接続された前記複数中間トレンチ部分の直下に設けられている半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/78
, H01L 29/739
, H01L 21/336
H01L29/78 653A
, H01L29/78 652F
, H01L29/78 655G
, H01L29/78 658A
, H01L29/78 658G
, H01L29/78 652C
, H01L29/78 655A
