特許

J-GLOBAL ID：200903016266258754

太陽電池の形成方法

発明者： 藤井 修一 ,  福井 健次
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-297620
公開番号（公開出願番号）：特開2002-111016
出願日： 2000年09月28日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：

【要約】【課題】 銀電極がアルミニウムに近接して設けられる場合に、この銀電極も半田の濡れ性が低下し、半田で十分に被覆され難くなるという問題を解消した太陽電池の形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】 半導体基板の一主面側と他の主面側に異なる導電領域を形成して、一主面側に表面電極を形成すると共に、他の主面側にアルミニウム電極と電極取りだし部が銀電極からなる半田で被覆された裏面電極を形成する太陽電池の形成方法において、前記アルミニウム電極部分にレジスト膜を塗布して、前記銀電極部分を半田で被覆することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板の一主面側と他の主面側に異なる導電領域を形成して、一主面側に表面電極を形成すると共に、他の主面側にアルミニウム電極と電極取りだし部が銀電極からなる半田で被覆された裏面電極を形成する太陽電池の形成方法において、前記アルミニウム電極部分にレジスト膜を塗布して、前記銀電極部分を半田で被覆することを特徴とする太陽電池の形成方法。

Fターム (8件)：

5F051BA11 ,  5F051CB27 ,  5F051FA06 ,  5F051FA10 ,  5F051FA13 ,  5F051FA15 ,  5F051FA17 ,  5F051GA04