特許

J-GLOBAL ID：200903016267137748

半導体装置の製造方法

発明者： 南 正樹
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-341622
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189410
出願日： 1996年12月20日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板上に、少なくとも窒素を含有する反射防止膜を成膜する工程と、その反射防止膜上にフォトレジスト層を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法において、定在波効果の発生を有効に防止し得、しかも、フォトレジスト層が裾引き形状にパターンニングされてしまうおそれのない製造方法を得る。【解決手段】 半導体基板1上に少なくとも窒素を含有する反射防止膜6を成膜する工程と、その反射防止膜6上に窒素を含有しないバッファー膜7を成膜する工程と、そのバッファー膜7上にフォトレジスト層8を形成する工程とを有する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に少なくとも窒素を含有する反射防止膜を成膜する工程と、該反射防止膜上に窒素を含有しないバッファー膜を成膜する工程と、該バッファー膜上にフォトレジスト層を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/004 506 ,  G03F 7/023 511 ,  G03F 7/11 503 ,  H01L 21/318

FI (5件)：

H01L 21/30 574 ,  G03F 7/004 506 ,  G03F 7/023 511 ,  G03F 7/11 503 ,  H01L 21/318 C