半導体装置の配線形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-065091
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236531
出願日： 1995年02月28日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：

【要約】【目的】本発明は、配線パターンのシンタリングの際に配線パターン上にヒルロックが発生しないようにした、半導体装置の配線形成方法を提供することを目的とする。【構成】表面に酸化膜が形成された半導体基板11上に、先づ金属層12を形成し、その上からエッチングマスク用のレジストパターン14を形成し、続いてエッチングにより配線部分以外の金属層を除去した後、レジストを除去して金属層による配線パターン12aを形成し、最後に基板表面全体に保護膜または層間絶縁膜15を形成するようにした、半導体装置10の配線形成方法において、上記レジストパターン形成前に、金属層の上に、保護膜または層間絶縁膜と同じ材料から成る薄膜13を形成し、エッチングにより該薄膜をパターン形成した後、該薄膜13aをエッチングマスクとして、金属層12のエッチングが行なわれるように、半導体装置の配線形成方法を構成する。

請求項（抜粋）：

表面に酸化膜が形成された半導体基板上に、先づ金属層を形成し、その上からエッチングマスク用のレジストパターンを形成し、続いてエッチングにより配線部分以外の金属層を除去した後、レジストを除去して金属層による配線パターンを形成し、最後に基板表面全体に保護膜または層間絶縁膜を形成するようにした、半導体装置の配線形成方法において、上記レジストパターン形成前に、金属層の上に、保護膜または層間絶縁膜と同じ材料から成る薄膜を形成し、エッチングにより該薄膜をパターン形成した後、該薄膜をエッチングマスクとして、金属層のエッチングが行なわれるようにしたことを特徴とする、半導体装置の配線形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3213 , H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/88 C , H01L 21/302 J

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