特許
J-GLOBAL ID:200903016276344519
半導体発光素子および半導体発光装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
外川 英明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-110252
公開番号(公開出願番号):特開2004-319685
出願日: 2003年04月15日
公開日(公表日): 2004年11月11日
要約:
【課題】十分な動作電圧の半導体発光素子を提供する。【解決手段】発光波長に対して透光性を有する透明基板12の第1の主面16に予めキャリア濃度の高い通電層17を形成し、通電層17の一部領域にpn接合を有する発光層13を形成し、第1の電極14を発光層13に形成し、第2の電極15を通電層17の他領域にそれぞれ形成している。そして、透明基板12の4つの側面を、第2の主面62から第1の主面16に向かって末広がりに、しかも外側方向に湾曲する凸状の湾曲面64と傾斜面63と垂直面65とで形成している。【選択図】 図7
請求項(抜粋):
発光波長に対して透光性を有する透明基板と、
前記透明基板の第1の主面に形成され、キャリア濃度が前記透明基板より高い通電層と、
前記通電層表面の一部領域に形成されたpn接合を有する発光層と、
前記発光層表面に形成された第1の電極と、
前記通電層表面の他領域に形成された第2の電極と、
を有することを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (29件):
5F041AA04
, 5F041AA22
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA22
, 5F041CA34
, 5F041CA35
, 5F041CA37
, 5F041CA48
, 5F041CA53
, 5F041CA65
, 5F041CA72
, 5F041CA74
, 5F041CA75
, 5F041CA76
, 5F041CA81
, 5F041CA85
, 5F041CB02
, 5F041CB15
, 5F041CB36
, 5F041DA03
, 5F041DA04
, 5F041DA09
, 5F041DA17
, 5F041DA25
, 5F041DA43
, 5F041DA44
, 5F041DA77
, 5F041DA78
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