特許

J-GLOBAL ID：200903016281849050

半導体集積回路装置およびその製造方法

発明者： 佐藤 一彦 ,  加藤 誠 ,  松坂 尚 ,  不動 秀企巳
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-181973
公開番号（公開出願番号）：特開平10-027796
出願日： 1996年07月11日
公開日（公表日）： 1998年01月27日
要約：

【要約】【課題】 配線層などの加工層の寸法精度が向上でき、しかも微細加工ができる半導体集積回路装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 回路設計上必要な加工層である配線層2であって、リソグラフィ技術と選択エッチング技術とを用いて加工されている配線層2と、その配線層2の周辺に配線層2と同一の材料からなるダミー配線層3とを有し、ダミー配線層3のパターンを付加して配線層2のパターンの単位面積あたりの密度のばらつきが低減されているものである。

請求項（抜粋）：

回路設計上必要な加工層であり、リソグラフィ技術と選択エッチング技術とを用いて加工されている加工層と、前記加工層の周辺に前記加工層と同一の材料からなるダミー加工層とを有し、前記ダミー加工層のパターンを付加して前記加工層のパターンの単位面積あたりの密度のばらつきが低減されていることを特徴とする半導体集積回路装置。