特許
J-GLOBAL ID:200903016289447716
電界効果型トランジスタおよびそれを用いた光スイッチング素子
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
大石 皓一 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-166002
公開番号(公開出願番号):特開2001-210829
出願日: 2000年06月02日
公開日(公表日): 2001年08月03日
要約:
【要約】【課題】 電子などのキャリアの移動速度の低下を防止することができ、動作速度の速いフラーレンを用いた電界効果型トランジスタおよび良好なスイッチング特性を有する光スイッチング素子を提供する。【解決手段】 ゲート材料として、フラーレンポリマーを用いたことを特徴とする電界効果型トランジスタおよびその構造に、フラーレンポリマーを含むことを特徴とする光光スイッチング素子。
請求項(抜粋):
ゲート材料として、フラーレンポリマーを用いたことを特徴とする電界効果型トランジスタ。
IPC (3件):
H01L 29/786
, C01B 31/02 101
, H01L 31/0248
FI (4件):
C01B 31/02 101 F
, H01L 29/78 618 B
, H01L 31/08 F
, H01L 31/08 H
Fターム (23件):
4G046CA04
, 4G046CB08
, 4G046CC06
, 5F088AA11
, 5F088AB02
, 5F088AB04
, 5F110AA01
, 5F110AA05
, 5F110BB20
, 5F110CC03
, 5F110DD05
, 5F110DD13
, 5F110EE08
, 5F110FF02
, 5F110FF27
, 5F110GG04
, 5F110GG05
, 5F110GG28
, 5F110GG29
, 5F110GG42
, 5F110HK02
, 5F110HK21
, 5F110HK32
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