特許
J-GLOBAL ID：200903016290885212

半導体電極およびその製造方法、ならびにそれを用いた光電池

発明者：
小野 好之

小野 好之 について

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今井 彰

今井 彰 について

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佐藤 克洋

佐藤 克洋 について

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廣瀬 英一

廣瀬 英一 について


出願人/特許権者：
富士ゼロックス株式会社

富士ゼロックス株式会社 について


代理人 (1件)： 中島 淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-304615
公開番号（公開出願番号）：特開平11-144772
出願日： 1997年11月06日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：
【要約】【課題】 太陽光を効率よくエネルギー変換でき、素子化の為の加工性に優れた半導体電極及びその製造方法、並びにそれを用いた光電池を提供すること。【解決手段】 支持体上に、微細孔の孔径度数分布が複数のピーク値を有する金属酸化物多孔質体を形成してなることを特徴とする半導体電極及びそれを用いた光電池であり、また、その製造方法として、好ましくは、1)金属酸化物前駆体と、該金属酸化物前駆体と相互作用する化合物と、を溶媒中で混合してゲルを生成する工程と、2)該ゲル中の前記金属酸化物前駆体を加水分解および脱水縮合させて析出した金属酸化物微粒子と、前記金属酸化物前駆体と相互作用する化合物と、を含むゾルを生成する工程と、3)該ゾルを支持体に塗布および焼成する工程と、からなることを特徴とする半導体電極の製造方法である。
請求項（抜粋）：
支持体上に、微細孔の孔径度数分布が複数のピーク値を有する金属酸化物多孔質体を形成してなることを特徴とする半導体電極。
IPC (2件)：
H01M 14/00 ,  H01L 31/04
FI (2件)：
H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 Z
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (4件)
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