特許

J-GLOBAL ID：200903016291243729

インクジェットヘッドの貫通孔形成方法

発明者： 北原 浩司 ,  藤田 誓一
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-006687
公開番号（公開出願番号）：特開平11-198386
出願日： 1998年01月16日
公開日（公表日）： 1999年07月27日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】インクジェットヘッドの貫通孔を形成する際に、エッチング速度を低下させることなく、また、エッチング深さのばらつきを悪化させることなく貫通孔を形成する方法を提案すること。【解決手段】ノズルプレート2を形成するためのシリコンウエハにエッチングを施して、インクノズル21及び電極配線用の貫通孔23を形成するに当たり、インクノズル21及び貫通孔23のパターニングの際の貫通孔23のパターニングを貫通孔23の外周のみとすることでプラズマ放電による異方性ドライエッチング時のエッチング面積を大幅に減少させる。その結果、エッチング速度が上昇するとともにウェハ面内のエッチング深さのばらつきが抑えられ、効率よく貫通孔が形成できる。

請求項（抜粋）：

インクジェットヘッドの貫通孔形成方法において、シリコン単結晶基板の表面にレジスト膜としての第1のシリコン酸化膜を形成する工程と、前記シリコン酸化膜をハーフエッチングして、当該酸化シリコン膜に対して前記インクノズルの大断面側の部分に対応した開口パターンを形成する第1のパターニング工程と、前記開口パターンが形成された前記第1のシリコン酸化膜のハーフエッチング領域の一部分及び貫通孔外周部をフルエッチングして、前記インクノズルの小断面側の部分に対応した開口パターン及び貫通孔外周部を前記シリコン単結晶基板表面の露出部分として形成する第2のパターニング工程と、前記シリコン単結晶基板の前記露出部分に対してプラズマ放電による異方性ドライエッチングを施して、所定の深さの第1の溝及び第1の貫通孔外周溝を形成する第1のドライエッチング工程と、前記第1のシリコン酸化膜のハーフエッチング領域をフルエッチングして、前記シリコン単結晶基板表面を露出させた後に、当該シリコン単結晶基板に対してプラズマ放電による異方性ドライエッチングを施して、底面に前記第1の溝及び第1の貫通孔外周溝が残った状態のままで第2の溝及び第2の貫通孔外周溝を所定の深さとなるように形成する第2のドライエッチング工程と、前記シリコン単結晶基板の表面にレジスト膜としての第2のシリコン酸化膜を形成する工程と、前記シリコン単結晶基板表面の前記第1の溝及び第1の貫通孔外周溝の反対側に位置する部分のシリコン基板表面である第2のシリコン酸化膜をフルエッチングし、前記シリコン基板表面を露出した後に当該シリコン単結晶基板に対してフルエッチングを施しノズル及び貫通孔を形成する工程と、を含むことを特徴とするインクジェットヘッドの貫通孔形成方法。